ZVNL110GTA、ZVNL110GTC对比区别

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型号 ZVNL110GTA ZVNL110GTC

描述 ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - SOT-223MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

封装 TO-261-4 SOT-223

安装方式 Surface Mount -

引脚数 4 -

封装 TO-261-4 SOT-223

长度 6.7 mm -

宽度 3.7 mm -

高度 1.65 mm -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 600 mA -

通道数 1 -

漏源极电阻 4.5 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 2 W -

输入电容 75.0 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V -

漏源击穿电压 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 600 mA -

上升时间 12 ns -

输入电容(Ciss) 75pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2 W -

下降时间 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 -