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ZVNL110GTA

ZVNL110GTA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - SOT-223

N-Channel 100V 600mA Ta 1.1W Ta Surface Mount SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223


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N沟道 100V 600mA


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MOSFET N-Chnl 100V


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Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


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Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


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MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223


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MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223


ZVNL110GTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 600 mA

通道数 1

漏源极电阻 4.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 75.0 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 600 mA

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 75pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZVNL110GTA引脚图与封装图
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在线购买ZVNL110GTA
型号 制造商 描述 购买
ZVNL110GTA Diodes 美台 ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - SOT-223 搜索库存
替代型号ZVNL110GTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZVNL110GTA

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-223 N-Channel 100V 600mA 4.5Ω 75pF

当前型号

ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - SOT-223

当前型号

型号: ZVNL110GTC

品牌: 美台

封装:

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