BLF6G10LS-135R、BLF6G10LS-135R,112、BLF6G10LS-135RN对比区别

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型号 BLF6G10LS-135R BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135RN

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Bulk功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-502 -

频率 - 871.5MHz ~ 891.5MHz -

额定电流 - 32 A -

输出功率 - 26.5 W -

增益 - 21 dB -

测试电流 - 950 mA -

工作温度(Max) - 225 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - SOT-502 -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -