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BLF6G10LS-135R,112

BLF6G10LS-135R,112

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Bulk

RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B


得捷:
RF TRANSISTOR


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Bulk


BLF6G10LS-135R,112中文资料参数规格
技术参数

频率 871.5MHz ~ 891.5MHz

额定电流 32 A

输出功率 26.5 W

增益 21 dB

测试电流 950 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF6G10LS-135R,112引脚图与封装图
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在线购买BLF6G10LS-135R,112
型号 制造商 描述 购买
BLF6G10LS-135R,112 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Bulk 搜索库存
替代型号BLF6G10LS-135R,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF6G10LS-135R,112

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-502B

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Bulk

当前型号

型号: BLF6G10LS-135R

品牌: 恩智浦

封装:

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型号: BLF6G10LS-135RN

品牌: 恩智浦

封装:

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型号: LS-13

品牌: 恩智浦

封装:

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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2, FET RF Power

BLF6G10LS-135R,112和LS-13的区别