IRF6714MTR1PBF、IRF6714MTRPBF对比区别

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型号 IRF6714MTR1PBF IRF6714MTRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 29AN沟道 25 V 2.1 mOhm 表面贴装 DirectFET 功率 MosFet

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 DirectFET-MX Direct-FET

额定功率 89 W 89 W

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 89 W 2.8 W

输入电容 - 3890 pF

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 29A 29A

上升时间 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 3890pF @13V(Vds) 3890pF @13V(Vds)

下降时间 9.6 ns 9.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

通道数 1 -

封装 DirectFET-MX Direct-FET

长度 6.35 mm -

宽度 5.05 mm -

高度 0.7 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99