IRF6714MTRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF6714MTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
输入电容 3890 pF
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 3890pF @13VVds
下降时间 9.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MultiPhase SyncFET
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF6714MTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6714MTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6714MTRPBF | Infineon 英飞凌 | N沟道 25 V 2.1 mOhm 表面贴装 DirectFET 功率 MosFet | 搜索库存 |
替代型号IRF6714MTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6714MTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 25V 29A | 当前型号 | N沟道 25 V 2.1 mOhm 表面贴装 DirectFET 功率 MosFet | 当前型号 |
| 型号： IRF6714MTR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET-MX N-CH 25V 29A | 功能相似 | Direct-FET N-CH 25V 29A | IRF6714MTRPBF和IRF6714MTR1PBF的区别 |