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MTD20N03HDL1、MTD20N03HDLT4G、NTD20N03L27T4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD20N03HDL1 MTD20N03HDLT4G NTD20N03L27T4G

描述 DPAK N-CH 30V 20ADPAK N-CH 30V 20AON SEMICONDUCTOR  NTD20N03L27T4G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 DPAK DPAK TO-252-3

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 20.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 0.023 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - - 74 W

阈值电压 - - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20A 20.0 A

上升时间 - - 137 ns

输入电容(Ciss) - - 1260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.75 W

下降时间 - - 31 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1.75W (Ta), 74W (Tc)

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

封装 DPAK DPAK TO-252-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99