IRF8010PBF、STP60NF10、STP80NF12对比区别

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型号 IRF8010PBF STP60NF10 STP80NF12

描述 IRF8010PBF 管装STMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP80NF12  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 120 V

额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 15 mΩ 19 mΩ 0.013 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 260 W 300 W 300 W

阈值电压 - 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 120 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 120 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 40.0 A 80.0 A

上升时间 130 ns 56 ns 145 ns

输入电容(Ciss) 3830pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 260 W 300 W 300 W

下降时间 120 ns 23 ns 115 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 260000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)

通道数 1 - 1

产品系列 IRF8010 - -

输入电容 3830pF @25V - -

长度 10.54 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 8.77 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR