BQ4011YMA-100、DS1230AB-100+对比区别

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型号 BQ4011YMA-100 DS1230AB-100+

描述 32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-100+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 - 28

时钟频率 100 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns

内存容量 32000 B 32000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V

供电电流 50 mA -

存取时间(Max) 100 ns -

长度 - 39.12 mm

宽度 - 18.8 mm

高度 9.53 mm 9.4 mm

封装 DIP-28 EDIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free