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FGH40N60SMD、SGH80N60UFDTU、IKW75N60T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGH40N60SMD SGH80N60UFDTU IKW75N60T

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60SMD  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚超快IGBT Ultrafast IGBTINFINEON  IKW75N60T  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

针脚数 3 - 3

耗散功率 349 W 195 W 428 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 36 ns 95 ns 121 ns

额定功率(Max) 349 W 195 W 428 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 349 W 195000 mW 428 W

额定功率 - 195 W 428 W

极性 - N-Channel N-Channel

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 28.0 A -

上升时间 - 50.0 ns -

长度 15.6 mm 15.8 mm 16.03 mm

宽度 4.7 mm 5 mm 21.1 mm

高度 20.6 mm 18.9 mm 5.16 mm

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99