SGH80N60UFDTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SGH80N60UFDTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 28.0 A
额定功率 195 W
极性 N-Channel
耗散功率 195 W
上升时间 50.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 95 ns
额定功率Max 195 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 195000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SGH80N60UFDTU引脚图与封装图
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在线购买SGH80N60UFDTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SGH80N60UFDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 超快IGBT Ultrafast IGBT | 搜索库存 |
替代型号SGH80N60UFDTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SGH80N60UFDTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 100V 28A 195000mW | 当前型号 | 超快IGBT Ultrafast IGBT | 当前型号 |
| 型号： FGH40N60SMD 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-247AB 349000mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMD 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚 | SGH80N60UFDTU和FGH40N60SMD的区别 |