BSS84LT1G、BSS84P H6327、BSS84,215对比区别

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型号 BSS84LT1G BSS84P H6327 BSS84,215

描述 ON SEMICONDUCTOR  BSS84LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 VINFINEON  BSS84P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 VNXP  BSS84,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -

额定电流 -130 mA - -

额定功率 0.225 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 10 Ω 8 Ω 6 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 225 mW 360 mW 250 mW

阈值电压 2 V 1.5 V -

输入电容 36pF @5V - -

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 50 V

漏源击穿电压 50 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 130 mA - -130 mA

上升时间 9.7 ns 16.2 ns -

正向电压(Max) 2.2 V - -

输入电容(Ciss) 30pF @5V(Vds) 19pF @25V(Vds) 45pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 360 mW 250 mW

下降时间 1.7 ns 20.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 360mW (Ta) 250 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 1.10 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -