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2N7225、JAN2N7225对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7225 JAN2N7225

描述 Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, ISOLATED TO-254AA, 3 PIN每N沟道MOSFET合格MIL -PRF- 592分之19500 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-254-3

耗散功率 - 4W (Ta), 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 200 V

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc)

封装 - TO-254-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead