JAN2N7225
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N7225中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 200 V
耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-254-3
外形尺寸
封装 TO-254-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N7225引脚图与封装图
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在线购买JAN2N7225
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N7225 | Microsemi 美高森美 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF- 592分之19500 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N7225
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N7225 品牌： Microsemi 美高森美 封装： ~0.83°C/W | 当前型号 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF- 592分之19500 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592 | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N7219 品牌： Omnirel Corp 封装： | 功能相似 | 100V Thru 500V, Up to 28A, N-Channel, MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche Rated | JAN2N7225和JANTX2N7219的区别 |
| 型号： 2N7225 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 27.4A ID, 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, ISOLATED TO-254AA, 3 PIN | JAN2N7225和2N7225的区别 |
| 型号： IRFN240 品牌： 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 13.9A ID, 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TO-220SM, 3 PIN | JAN2N7225和IRFN240的区别 |
