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LM5110-3SD、LM5110-3SD/NOPB、LM5110-3SDX对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5110-3SD LM5110-3SD/NOPB LM5110-3SDX

描述 LM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage CapabilityMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas InstrumentsLM5110双通道5A复合门驱动器,提供负输出电压能力 LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10 10

封装 WDFN-10 WDFN-10 WDFN-10

上升/下降时间 14ns, 12ns 14ns, 12ns 14ns, 12ns

输出接口数 2 2 2

静态电流 1.00 mA 1.00 mA 1.00 mA

电源电压 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V 3.5V ~ 14V

电源电压(DC) 14.0V (max) - -

输出电流 5 A - -

上升时间 25 ns 25 ns -

下降时间 25 ns 25 ns -

下降时间(Max) 25 ns 25 ns -

上升时间(Max) 25 ns 25 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

电源电压(Max) 14 V 14 V -

电源电压(Min) 3.5 V 3.5 V -

封装 WDFN-10 WDFN-10 WDFN-10

长度 4 mm 4 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 0.8 mm 0.8 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -