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MT47H256M8HG-3:A、MT47H256M8EB-3:C、MT47H256M8HG-37E:A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H256M8HG-3:A MT47H256M8EB-3:C MT47H256M8HG-37E:A

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 FBGA FBGA FBGA

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

位数 8 8 8

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.8 V

高度 0.8 mm - -

封装 FBGA FBGA FBGA

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free