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MT47H256M8HG-3:A

MT47H256M8HG-3:A

数据手册.pdf
Micron 镁光 主动器件
MT47H256M8HG-3:A中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

位数 8

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 FBGA

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT47H256M8HG-3:A引脚图与封装图
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在线购买MT47H256M8HG-3:A
型号 制造商 描述 购买
MT47H256M8HG-3:A Micron 镁光 DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 搜索库存
替代型号MT47H256M8HG-3:A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT47H256M8HG-3:A

品牌: Micron 镁光

封装: FBGA

当前型号

DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

当前型号

型号: MT47H256M8EB-25EIT:C

品牌: 镁光

封装: FBGA

完全替代

DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H256M8HG-3:A和MT47H256M8EB-25EIT:C的区别

型号: MT47H256M8HG-37E:A

品牌: 镁光

封装: FBGA

类似代替

DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H256M8HG-3:A和MT47H256M8HG-37E:A的区别

型号: MT47H256M8EB-3:C

品牌: 镁光

封装: FBGA

类似代替

DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H256M8HG-3:A和MT47H256M8EB-3:C的区别