工作电压 1.80 V
位数 8
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
引脚数 60
封装 FBGA
高度 0.8 mm
封装 FBGA
工作温度 0℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MT47H256M8HG-3:A | Micron 镁光 | DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: MT47H256M8HG-3:A 品牌: Micron 镁光 封装: FBGA | 当前型号 | DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | 当前型号 | |
型号: MT47H256M8EB-25EIT:C 品牌: 镁光 封装: FBGA | 完全替代 | DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | MT47H256M8HG-3:A和MT47H256M8EB-25EIT:C的区别 | |
型号: MT47H256M8HG-37E:A 品牌: 镁光 封装: FBGA | 类似代替 | DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | MT47H256M8HG-3:A和MT47H256M8HG-37E:A的区别 | |
型号: MT47H256M8EB-3:C 品牌: 镁光 封装: FBGA | 类似代替 | DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | MT47H256M8HG-3:A和MT47H256M8EB-3:C的区别 |