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TLC27L2AIP、TLV272IDR、TS27L2AIN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L2AIP TLV272IDR TS27L2AIN

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSBiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsOP Amp Dual GP 16V 8Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 DIP-8

输出电流 ≤30 mA 7mA @5V -

供电电流 29 µA 625 µA 10 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 -

耗散功率 1000 mW 0.396 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 85.0 kHz 3 MHz -

转换速率 30.0 mV/μs 2.10 V/μs 40.0 mV/μs

增益频宽积 0.085 MHz 3 MHz 100 kHz

过温保护 - No -

输入补偿电压 900 µV 500 µV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 110 kHz 3 MHz -

耗散功率(Max) 1000 mW 396 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB -

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 9.81 mm 4.9 mm -

宽度 6.35 mm 3.91 mm -

高度 4.57 mm 1.5 mm -

封装 PDIP-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -