CY7C25682KV18-500BZC、CY7C25682KV18-550BZXC对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C25682KV18-500BZC CY7C25682KV18-550BZXC

描述 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 18

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 0.45 ns -

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅