锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CY7C25682KV18-550BZXC

CY7C25682KV18-550BZXC

数据手册.pdf

72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 550MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C25682KV18-550BZXC


得捷:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


安富利:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM DDR-II+ CIO-ODT 165FBGA


CY7C25682KV18-550BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C25682KV18-550BZXC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CY7C25682KV18-550BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C25682KV18-550BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT 搜索库存
替代型号CY7C25682KV18-550BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C25682KV18-550BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

当前型号

型号: CY7C25682KV18-500BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

CY7C25682KV18-550BZXC和CY7C25682KV18-500BZC的区别