BQ4013YMA-70、M48Z128-70PM1、DS1245AB-70+对比区别

高亮显示差异参数

型号 BQ4013YMA-70 M48Z128-70PM1 DS1245AB-70+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

供电电流 50 mA 105 mA -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

针脚数 - - 32

长度 42.8 mm 43.18 mm -

宽度 18.42 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.52 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -