AOI11S60、AOT11S60L、AOTF11S60L对比区别

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型号 AOI11S60 AOT11S60L AOTF11S60L

描述 TO-251A N-CH 600V 11AN沟道 600V 11ATO-220F N-CH 600V 11A

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 208W (Tc) 178W (Tc) 38 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A 11A 11A

上升时间 20 ns 20 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) 545pF @100V(Vds) 545pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 208 W 178 W 38 W

下降时间 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) 178W (Tc) 38W (Tc)

封装 TO-251-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free