AOTF11S60L
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Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOTF11S60L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 545pF @100VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOTF11S60L引脚图与封装图
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在线购买AOTF11S60L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AOTF11S60L | Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 | TO-220F N-CH 600V 11A | 搜索库存 |
替代型号AOTF11S60L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOTF11S60L 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO N-CH 600V 11A | 当前型号 | TO-220F N-CH 600V 11A | 当前型号 |
| 型号： AOI11S60 品牌： 万代半导体 封装： TO N-CH 600V 11A | 功能相似 | TO-251A N-CH 600V 11A | AOTF11S60L和AOI11S60的区别 |