锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC846B、BC846BLT1G、BC846BWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846B BC846BLT1G BC846BWT1G

描述 BC846B NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100MHz 200~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1B 通用开关和放大ON SEMICONDUCTOR  BC846BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SC-70-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - 65.0 V 65.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

额定功率 - 300 mW -

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 330 mW 300 mW 150 mW

增益频宽积 - 100 MHz 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 450 -

额定功率(Max) - 225 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 200 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 150 mW

长度 - 2.9 mm 2.2 mm

宽度 - 1.3 mm 1.24 mm

高度 - 0.94 mm 0.9 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SC-70-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99