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BAT17、JDH3D01S、MMBD301LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT17 JDH3D01S MMBD301LT1G

描述 Silicon Schottky Diode (For mixer applications in the VHF/UHF range For high-speed switching)JDH3D01S 肖特基二极管 4V 25mA 500mV/0.5V SOT-523/SC-89/SSM/ SOT490 marking/标记 BHON SEMICONDUCTOR  MMBD301LT1G.  肖特基二极管

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管

基础参数对比

封装 - SOT-523 SOT-23-3

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - SOT-523 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.01 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 1.00 A

电容 - - 0.9 pF

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - - ≤60.0 mA

正向电压 - - 0.52 V

极性 - - Standard

耗散功率 - - 200 mW

正向电流 - - 200 mA

正向电压(Max) - - 450 mV

正向电流(Max) - - 200 mA

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99