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TLV2332ID、TLV2332IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2332ID TLV2332IDR

描述 LinCMOSE低压中等功率运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOSE低压中等功率运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 210 µA 210 µA

电路数 2 2

通道数 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K 1.70 µV/K

带宽 300 kHz 300 kHz

转换速率 430 mV/μs 430 mV/μs

增益频宽积 525 kHz 525 kHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.6 pA 0.6 pA

增益带宽 525 kHz 0.525 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free