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MR25H256CDC、MR25H256CDCR、MB85RS256APNF-G-JNE1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MR25H256CDC MR25H256CDCR MB85RS256APNF-G-JNE1

描述 MR25H256 系列 256 kB 32 K x 8 3 V 串行 SPI 表面贴装 MRAM - DFN-8磁性随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3V 32Kx8 Serial 磁性随机存取存储器 (MRAM)FUJITSU  MB85RS256APNF-G-JNE1  芯片, 存储器, FRAM, 256K, SPI, 3V, 8SOP

数据手册 ---

制造商 Everspin Technologies Everspin Technologies Fujitsu (富士通)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 3.00V (min)

针脚数 - - 8

内存容量 - - 32000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 3 V

供电电流 27 mA - -

存取时间(Max) 10 ns 10 ns -

封装 DFN-8 DFN-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99