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ST13003N、ST83003、KSE13003H1ASTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ST13003N ST83003 KSE13003H1ASTU

描述 高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 - - 4 MHz

额定电压(DC) - - 400 V

额定电流 - - 1.50 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 40 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @1A, 10V 16 @350mA, 5V 9 @500mA, 2V

额定功率(Max) 20 W 40 W 20 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 40000 mW 20000 mW

长度 - - 8.3 mm

宽度 - - 3.45 mm

高度 - - 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bag Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99