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MMFT107T1、MMFT107T3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMFT107T1 MMFT107T3

描述 功率MOSFET 250毫安, 200伏 Power MOSFET 250 mA, 200 Volts功率MOSFET 250毫安, 200伏 Power MOSFET 250 mA, 200 Volts

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 -

封装 TO-261-4 SOT-223

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 250 mA -

耗散功率 800mW (Ta) -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 250 mA 0.25A

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 800mW (Ta) -

极性 - N-CH

封装 TO-261-4 SOT-223

材质 Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -