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IR2128S、IR2128SPBF、IR2128STRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2128S IR2128SPBF IR2128STRPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Inv 8Pin SOICINFINEON  IR2128SPBF  驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

电源电压 12V ~ 20V 12V ~ 20V 12V ~ 20V

输出接口数 - 1 1

输出电压 - 12.20 V -

输出电流 - 200 mA 0.25 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

耗散功率 - 625 mW 625 mw

上升时间 - 80 ns -

下降时间 - 40 ns -

下降时间(Max) - 65 ns 65 ns

上升时间(Max) - 130 ns 130 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

电源电压(Max) - 20 V -

电源电压(Min) - 10 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -