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IR2128S
Infineon(英飞凌) 主动器件

MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Inv 8Pin SOIC

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
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Application - specific gate drive range: 12 to 20 V IR2128, IR2127 Output out of phase with input IR2128
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Output in phase with input IR2127 , IR21271
IR2128S中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 80ns, 40ns

电源电压 12V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IR2128S引脚图与封装图
IR2128S电路图

IR2128S电路图

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IR2128S Infineon 英飞凌 MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Inv 8Pin SOIC 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IR2128S

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOIC

当前型号

MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Inv 8Pin SOIC

当前型号

型号: IR2128SPBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC

完全替代

INFINEON  IR2128SPBF  驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

IR2128S和IR2128SPBF的区别