锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TS912BIDT、LMC6482AIM/NOPB、TS912BID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS912BIDT LMC6482AIM/NOPB TS912BID

描述 STMICROELECTRONICS  TS912BIDT  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 16V, SOIC, 8 引脚CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments轨至轨CMOS双路运算放大器 Rail-to-rail CMOS dual operational amplifier

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 75 mA ≤30 mA ≤130 mA

供电电流 400 µA 1.3 mA 400 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 60 dB 70 dB 60 dB

转换速率 1.30 V/μs 1.30 V/μs 400 mV/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.5 MHz 1.4 MHz

输入补偿电压 2 mV 110 µV 2 mV

输入偏置电流 1 pA 0.02 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 60 dB 70 dB 60 dB

电源电压(Max) 16 V 15.5 V 16 V

电源电压(Min) 2.7 V 3 V 2.7 V

针脚数 8 8 -

带宽 1.4 MHz 1.5 MHz -

增益带宽 1 MHz 1.5 MHz -

电源电压 2.7V ~ 16V 3V ~ 15.5V -

工作电压 - 3V ~ 15.5V -

输入补偿漂移 - 1.00 µV/K -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.65 mm 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -