BCR103T、PDTC123JU,115、MUN5235T1G对比区别

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型号 BCR103T PDTC123JU,115 MUN5235T1G

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNXP PDTC123JU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装ON SEMICONDUCTOR  MUN5235T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-75 SOT-323-3 SC-70-3

耗散功率 - 0.2 W 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 200 mW 202 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 310 mW

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 100 mA

极性 NPN - N-Channel

集电极最大允许电流 100mA - 100mA

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SC-75 SOT-323-3 SC-70-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99