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AUIRFR2405、IRFR2405TRPBF、IRFR2405TRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR2405 IRFR2405TRPBF IRFR2405TRLPBF

描述 N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。IRFR2405TRPBF 编带晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 55 V, 0.0118 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 110 W 110 W 110 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.0118 Ω 0.016 Ω 0.0118 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 110 W

阈值电压 2 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 56A 56A 56A

上升时间 130 ns 130 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 2430pF @25V(Vds) 2430pF @25V(Vds) 2430pF @25V(Vds)

下降时间 78 ns 78 ns 78 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

输入电容 - 2430 pF -

额定功率(Max) - 110 W -

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -