FDD6630A、STD17NF03LT4、IRLR7807ZPBF对比区别

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型号 FDD6630A STD17NF03LT4 IRLR7807ZPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6630A  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON  IRLR7807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 21.0 A 17.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 28 mΩ 0.05 Ω 0.0138 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 28 W 30 W 40 W

阈值电压 1.7 V 1.5 V 1.8 V

输入电容 462 pF 320 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 17.0 A 43A

上升时间 8 ns 100 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 462pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds) 780pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 30 W 40 W

下降时间 13 ns 22 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 28 W 30W (Tc) 40W (Tc)

栅电荷 5.00 nC - -

额定功率 - - 40 W

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -