FDD6630A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6630A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 21.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 28 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 28 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 462 pF
栅电荷 5.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 462pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6630A引脚图与封装图
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在线购买FDD6630A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6630A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDD6630A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6630A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 21A 28mohms 462pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： STD17NF03LT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 17A 38mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDD6630A和STD17NF03LT4的区别 |
| 型号： IRLR7807ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 43A | 功能相似 | INFINEON IRLR7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V | FDD6630A和IRLR7807ZPBF的区别 |