FDD8770、STD18N55M5、STD15NF10T4对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDD8770 STD18N55M5 STD15NF10T4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8770  晶体管, N沟道STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 25.0 V - 100 V

额定电流 35.0 A - 23.0 A

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0048 Ω 0.18 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 115 W 90 W 70 W

阈值电压 1.6 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 25 V 550 V 100 V

漏源击穿电压 25 V 550 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 16A 23.0 A

上升时间 12 ns 9.5 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 3720pF @13V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 115 W 90 W 70 W

下降时间 25 ns 13 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99