FDD8770
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD8770中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 35.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3720pF @13VVds
额定功率Max 115 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD8770引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDD8770
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD8770 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 25V 35A 3.3mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8770 晶体管, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDD8770和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDD8770和STP80NF10的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FDD8770和STD18N55M5的区别 |