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JANTX2N6987、JANTXV2N6987对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6987 JANTXV2N6987

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,TRANS PNP QUAD 60V 600mA TO116

数据手册 --

制造商 Raytheon (雷神) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 14

封装 - DIP-14

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 1.5 W

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1500 mW

耗散功率 - -

封装 - DIP-14

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

军工级 - -

ECCN代码 - -