击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 14
封装 DIP-14
封装 DIP-14
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTXV2N6987 | Microsemi 美高森美 | TRANS PNP QUAD 60V 600mA TO116 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JANTXV2N6987 品牌: Microsemi 美高森美 封装: 14-DIP | 当前型号 | TRANS PNP QUAD 60V 600mA TO116 | 当前型号 | |
型号: 2N6987 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP 1500mW | 完全替代 | 多个( QUAD ) PNP硅开关晶体管 MULTIPLE QUAD PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N6987和2N6987的区别 | |
型号: JANS2N6987 品牌: 美高森美 封装: TO-116 | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14Pin TO-116 | JANTXV2N6987和JANS2N6987的区别 | |
型号: JANTX2N6987 品牌: 雷神 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, | JANTXV2N6987和JANTX2N6987的区别 |