TL062CDR、TL062IDT、TL062ID对比区别
描述 TEXAS INSTRUMENTS TL062CDR 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS TL062IDT 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 3.5 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚JFET 输入运算放大器，TL060 系列Texas Instruments TL060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，可提供出色的性能，其功耗与 TL080 系列相比显著降低。### 运算放大器，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作电压 6V ~ 36V 6.36 V -
供电电流 200 µA 200 µA 200 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
耗散功率 6 mW 680 mW -
共模抑制比 70 dB 86 dB 80 dB
带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz
转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs
增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz
输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV
输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA
工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz
耗散功率(Max) - 680 mW -
共模抑制比(Min) 70 dB 80 dB 80 dB
电源电压 7V ~ 36V 6V ~ 36V 7V ~ 36V
电源电压(Max) - 36 V 36 V
电源电压(DC) 15.0 V - 15.0 V
输入补偿漂移 10.0 µV/K - 10.0 µV/K
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.91 mm
高度 1.5 mm - 1.58 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -