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MUN2130T1、MUN2130T1G、SMUN2130T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2130T1 MUN2130T1G SMUN2130T1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsSC-59 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 338 mW 230 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 3 @5mA, 10V 3 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 3 -

额定功率(Max) 230 mW 230 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 338 mW 338 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 1.09 mm 1.09 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -