SI7882DP-T1-GE3、SIR492DP-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI7882DP-T1-GE3 SIR492DP-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7882DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 22A, SOICVISHAY  SIR492DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 40A, SOIC, 整卷

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC SOIC

针脚数 8 8

漏源极电阻 8 mΩ 0.0047 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.9 W 4.2 W

阈值电压 1.4 V 1 V

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A 40.0 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

封装 SOIC SOIC

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free