SI7882DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7882DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7882DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7882DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7882DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 22A, SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI7882DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7882DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 12V 22A | 当前型号 | VISHAY SI7882DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 22A, SOIC | 当前型号 |
| 型号： SIR492DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel 12V 40A | 类似代替 | VISHAY SIR492DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 40A, SOIC, 整卷 | SI7882DP-T1-GE3和SIR492DP-T1-GE3的区别 |