FDA20N50F、IXFH21N50Q、FQA18N50V2对比区别

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型号 FDA20N50F IXFH21N50Q FQA18N50V2

描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-247AD N-CH 500V 21A500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 -

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 388 W 280W (Tc) 277W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 22A 21A 20.0 A

上升时间 120 ns - -

输入电容(Ciss) 3390pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 388 W - 277 W

下降时间 60 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 388W (Tc) 280W (Tc) 277W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 20.0 A

漏源极电阻 - - 265 mΩ

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

长度 15.8 mm - -

宽度 5 mm - -

高度 20.1 mm - -

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Last Time Buy Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR