FQA18N50V2
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA18N50V2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 20.0 A
漏源极电阻 265 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 277W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
输入电容Ciss 3290pF @25VVds
额定功率Max 277 W
耗散功率Max 277W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FQA18N50V2引脚图与封装图
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在线购买FQA18N50V2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQA18N50V2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FQA18N50V2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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