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1N3011B、JAN1N3011B、JANTX1N3011B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3011B JAN1N3011B JANTX1N3011B

描述 Zener Diode,10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

耗散功率 10 W 10 W 10 W

稳压值 150 V 150 V 150 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.5V @2A 1.5V @2A

测试电流 - 17 mA 17 mA

额定功率(Max) - 10 W 10 W

耗散功率(Max) - 10000 mW 10000 mW

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tray Tray

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99