锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

JAN1N3011B

数据手册.pdf

10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

DESCRIPTION

These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage regulation in a selection over a 3.9 V to 200 V broad range of voltages. They may be operated up to 10 W with adequate mounting and heat sinking with their low thermal resistance. These Zeners are also available in JAN, JANTX, JANTXV military qualifications. also offers numerous other Zener products to meet higher and lower power applications.

JAN1N3011B中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

正向电压 1.5V @2A

耗散功率 10 W

测试电流 17 mA

稳压值 150 V

额定功率Max 10 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 10000 mW

封装参数

引脚数 2

封装 DO-203AA

外形尺寸

封装 DO-203AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN1N3011B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN1N3011B
型号 制造商 描述 购买
JAN1N3011B Microsemi 美高森美 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES 搜索库存
替代型号JAN1N3011B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN1N3011B

品牌: Microsemi 美高森美

封装: DO-4

当前型号

10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

当前型号

型号: 1N3011B

品牌: Solid State Devices

封装:

类似代替

Zener Diode,

JAN1N3011B和1N3011B的区别

型号: 1N3011BE3

品牌: 美高森美

封装:

功能相似

DO-4 150V 10W

JAN1N3011B和1N3011BE3的区别