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RB520S30、RB520S30T5G、RB520S30T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB520S30 RB520S30T5G RB520S30T1G

描述 ON Semiconductor 二极管 RB520S30 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-523F封装肖特基二极管 Schottky Barrier DiodeON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-523-2 SOD-523 SOD-523

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 200 mA

输出电流 - - ≤200 mA

针脚数 2 - 2

正向电压 0.6 V 600mV @200mA 600mV @200mA

极性 - - Standard

耗散功率 - 200 mW 200 mW

热阻 500℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA) 635 ℃/W

反向恢复时间 - - 6 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A - 200 mA

正向电压(Max) 600 mV - 600 mV

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

最大反向电压(Vrrm) 30V - -

最大反向漏电流(Ir) 1uA - -

长度 1.3 mm - 1.3 mm

宽度 0.9 mm - 0.9 mm

高度 0.7 mm 0.6 mm 0.6 mm

封装 SOD-523-2 SOD-523 SOD-523

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 8000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99