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JANS2N5153、JANTX2N5153、2N5153对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N5153 JANTX2N5153 2N5153

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 80V 5A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 70 @2.5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -